חֲדָשׁוֹת
-
ציוד חיתוך לייזר מדויק במיוחד עבור פרוסות SiC בגודל 8 אינץ': טכנולוגיית הליבה לעיבוד פרוסות SiC עתידיות
סיליקון קרביד (SiC) הוא לא רק טכנולוגיה קריטית להגנה לאומית, אלא גם חומר מרכזי לתעשיות הרכב והאנרגיה העולמיות. כצעד הקריטי הראשון בעיבוד גביש יחיד של SiC, חיתוך פרוסות סיליקון קובע ישירות את איכות הדילול והליטוש שלאחר מכן. ניסיון...קרא עוד -
משקפי AR ממולי גל סיליקון קרביד בדרגה אופטית: הכנת מצעים מבודדים למחצה בעלי טוהר גבוה
על רקע מהפכת הבינה המלאכותית, משקפי מציאות רבודה (AR) נכנסים בהדרגה לתודעה הציבורית. כפרדיגמה המשלבת בצורה חלקה עולמות וירטואליים ומציאותיים, משקפי AR נבדלים ממכשירי מציאות מדומה בכך שהם מאפשרים למשתמשים לקלוט הן תמונות המוקרנות דיגיטלית והן אור סביבתי...קרא עוד -
צמיחה הטרו-אפיטקסיאלית של 3C-SiC על מצעי סיליקון עם אוריינטציות שונות
1. מבוא למרות עשרות שנים של מחקר, 3C-SiC הטרואפיטקסיאלי שגודל על מצעי סיליקון טרם השיג איכות גבישית מספקת עבור יישומים אלקטרוניים תעשייתיים. הגידול מתבצע בדרך כלל על מצעי Si(100) או Si(111), כאשר כל אחד מהם מציג אתגרים שונים: שינוי פאזה...קרא עוד -
סיליקון קרביד קרמי לעומת סיליקון קרביד מוליך למחצה: אותו חומר עם שני גורלות שונים
סיליקון קרביד (SiC) הוא תרכובת יוצאת דופן שניתן למצוא הן בתעשיית המוליכים למחצה והן במוצרים קרמיים מתקדמים. דבר זה מוביל לעתים קרובות לבלבול בקרב אנשים מן השורה, אשר עלולים לטעות ולחשוב שהם מאותו סוג מוצר. במציאות, בעוד שהם בעלי הרכב כימי זהה, SiC מתבטא...קרא עוד -
התקדמות בטכנולוגיות הכנת קרמיקה מסיליקון קרביד בעלת טוהר גבוה
קרמיקה מסיליקון קרביד (SiC) בעלת טוהר גבוה צצה כחומרים אידיאליים עבור רכיבים קריטיים בתעשיות המוליכים למחצה, תעופה וחלל וכימיה בשל מוליכות תרמית יוצאת דופן, יציבות כימית וחוזק מכני. עם הביקוש הגובר לביצועים גבוהים ובעלי פוליבריות נמוכה...קרא עוד -
עקרונות טכניים ותהליכים של פרוסות LED אפיטקסיאליות
מעיקרון הפעולה של נוריות LED, ניכר שחומר פרוסת ה-wap האפיטקסיאלית הוא המרכיב המרכזי של נורית LED. למעשה, פרמטרים אופטואלקטרוניים מרכזיים כמו אורך גל, בהירות ומתח קדמי נקבעים במידה רבה על ידי החומר האפיטקסיאלי. טכנולוגיית פרוסת ה-wap האפיטקסיאלית והציוד...קרא עוד -
שיקולים מרכזיים להכנת גביש יחיד מסיליקון קרביד באיכות גבוהה
השיטות העיקריות להכנת סיליקון גביש יחיד כוללות: הובלת אדים פיזיקלית (PVT), גידול תמיסה מלמעלה (TSSG) ושקיעת אדים כימית בטמפרטורה גבוהה (HT-CVD). בין אלה, שיטת PVT מאומצת באופן נרחב בייצור תעשייתי בשל הציוד הפשוט שלה, קלות התפעול...קרא עוד -
ליתיום ניובט על מבודד (LNOI): מניע את התקדמות המעגלים המשולבים הפוטוניים
מבוא בהשראת הצלחתם של מעגלים משולבים אלקטרוניים (EIC), תחום המעגלים המשולבים הפוטוניים (PIC) התפתח מאז הקמתו בשנת 1969. עם זאת, בניגוד ל-EIC, פיתוחה של פלטפורמה אוניברסלית המסוגלת לתמוך ביישומים פוטוניים מגוונים נותר ...קרא עוד -
שיקולים מרכזיים לייצור גבישים בודדים מסיליקון קרביד (SiC) באיכות גבוהה
שיקולים מרכזיים לייצור גבישים בודדים מסיליקון קרביד (SiC) באיכות גבוהה. השיטות העיקריות לגידול גבישים בודדים מסיליקון קרביד כוללות הובלת אדים פיזיקלית (PVT), גידול תמיסה מלמעלה (TSSG) וגידול כימי בטמפרטורה גבוהה...קרא עוד -
טכנולוגיית פרוסות LED אפיטקסיאליות מהדור הבא: מעצימות את עתיד התאורה
נורות LED מאירות את עולמנו, ובלב כל נורת LED בעלת ביצועים גבוהים נמצאת פרוסת ה-wap האפיטקסיאלית - רכיב קריטי המגדיר את בהירותה, צבעה ויעילותה. על ידי שליטה במדע הצמיחה האפיטקסיאלית, ...קרא עוד -
סוף עידן? פשיטת הרגל של וולפספיד מעצבת מחדש את נוף ה-SiC
פשיטת הרגל של וולפספיד מסמנת נקודת מפנה משמעותית בתעשיית מוליכי החצי SiC. וולפספיד, מובילה ותיקה בטכנולוגיית סיליקון קרביד (SiC), הגישה בקשה לפשיטת רגל השבוע, ובכך סימנה שינוי משמעותי בנוף העולמי של מוליכי החצי SiC. החברה...קרא עוד -
ניתוח מקיף של היווצרות מאמץ בקוורץ התכה: גורמים, מנגנונים והשפעות
1. מאמץ תרמי במהלך קירור (סיבה עיקרית) קוורץ מותך יוצר מאמץ בתנאי טמפרטורה לא אחידים. בכל טמפרטורה נתונה, המבנה האטומי של הקוורץ המותך מגיע לתצורה מרחבית "אופטימלית" יחסית. ככל שהטמפרטורה משתנה, המרחב האטומי...קרא עוד