מצע SiC בגודל 12 אינץ', קוטר 300 מ"מ, עובי 750 מיקרון, סוג 4H-N ניתן להתאמה אישית
פרמטרים טכניים
| מפרט מצע סיליקון קרביד (SiC) בגודל 12 אינץ' | |||||
| צִיוּן | הפקת ZeroMPD כיתה (כיתה Z) | ייצור סטנדרטי כיתה (כיתה P) | דירוג דמה (דרגה ד') | ||
| קוֹטֶר | 300 מ"מ ~ 1305 מ"מ | ||||
| עוֹבִי | 4H-N | 750 מיקרומטר ± 15 מיקרומטר | 750 מיקרומטר ± 25 מיקרומטר | ||
| 4H-SI | 750 מיקרומטר ± 15 מיקרומטר | 750 מיקרומטר ± 25 מיקרומטר | |||
| כיוון פרוסות | מחוץ לציר: 4.0° לכיוון <1120 >±0.5° עבור 4H-N, על הציר: <0001>±0.5° עבור 4H-SI | ||||
| צפיפות מיקרו-צינורות | 4H-N | ≤0.4 ס"מ-2 | ≤4 ס"מ-2 | ≤25 ס"מ-2 | |
| 4H-SI | ≤5 ס"מ-2 | ≤10 ס"מ-2 | ≤25 ס"מ-2 | ||
| הִתנַגְדוּת סְגוּלִית | 4H-N | 0.015~0.024 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| כיוון שטוח ראשוני | {10-10} ±5.0° | ||||
| אורך שטוח ראשוני | 4H-N | לא רלוונטי | |||
| 4H-SI | לַחֲרוֹץ | ||||
| אי הכללת קצה | 3 מ"מ | ||||
| LTV/TTV/קשת/עיוות | ≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
| חִספּוּס | פולני Ra≤1 ננומטר | ||||
| CMP Ra≤0.2 ננומטר | Ra≤0.5 ננומטר | ||||
| סדקי קצה על ידי אור בעוצמה גבוהה לוחות משושה על ידי אור בעוצמה גבוהה אזורי פוליטייפ על ידי אור בעוצמה גבוהה תכלילים חזותיים של פחמן שריטות על פני השטח של סיליקון מאור בעוצמה גבוהה | אַף לֹא אֶחָד שטח מצטבר ≤0.05% אַף לֹא אֶחָד שטח מצטבר ≤0.05% אַף לֹא אֶחָד | אורך מצטבר ≤ 20 מ"מ, אורך יחיד ≤2 מ"מ שטח מצטבר ≤0.1% שטח מצטבר ≤3% שטח מצטבר ≤3% אורך מצטבר ≤1 × קוטר פרוסה | |||
| שבבי קצה על ידי אור בעוצמה גבוהה | אין מותר רוחב ועומק ≥0.2 מ"מ | 7 מותרים, ≤1 מ"מ כל אחד | |||
| (TSD) תזוזה של בורג הברגה | ≤500 סמ"ר | לא רלוונטי | |||
| (BPD) תזוזה של מישור הבסיס | ≤1000 סמ"ר | לא רלוונטי | |||
| זיהום פני השטח של סיליקון על ידי אור בעוצמה גבוהה | אַף לֹא אֶחָד | ||||
| אריזה | קסטה מרובת פרוסות או מיכל פרוסות בודד | ||||
| הערות: | |||||
| 1 מגבלות הפגמים חלות על כל פני השטח של הוופל למעט אזור אי הכללת הקצה. 2. יש לבדוק את השריטות על פני השטח של Si בלבד. 3 נתוני הנקע הם רק מוופלים חרוטים ב-KOH. | |||||
תכונות עיקריות
1. כושר ייצור ויתרונות עלות: הייצור ההמוני של מצע SiC בגודל 12 אינץ' (מצע סיליקון קרביד בגודל 12 אינץ') מסמן עידן חדש בייצור מוליכים למחצה. מספר השבבים שניתן להשיג מופל בודד מגיע פי 2.25 מזה של מצעים בגודל 8 אינץ', מה שמניע ישירות קפיצת מדרגה ביעילות הייצור. משוב מלקוחות מצביע על כך שאימוץ מצעים בגודל 12 אינץ' הפחית את עלויות ייצור מודולי ההספק שלהם ב-28%, ויצר יתרון תחרותי מכריע בשוק המתחרות מאוד.
2. תכונות פיזיקליות יוצאות דופן: מצע ה-SiC בגודל 12 אינץ' יורש את כל היתרונות של חומר סיליקון קרביד - מוליכותו התרמית פי 3 מזו של סיליקון, בעוד שעוצמת שדה הפירוק שלו מגיעה פי 10 מזו של סיליקון. מאפיינים אלה מאפשרים להתקנים המבוססים על מצעים בגודל 12 אינץ' לפעול ביציבות בסביבות טמפרטורה גבוהות העולות על 200 מעלות צלזיוס, מה שהופך אותם למתאימים במיוחד ליישומים תובעניים כמו כלי רכב חשמליים.
3. טכנולוגיית טיפול פני השטח: פיתחנו תהליך חדשני של ליטוש כימי-מכני (CMP) במיוחד עבור מצעי SiC בגודל 12 אינץ', ומשיג שטוחות פני שטח ברמה אטומית (Ra<0.15nm). פריצת דרך זו פותרת את האתגר העולמי של טיפול פני שטח פרוסות סיליקון קרביד בקוטר גדול, ופותחת מכשולים לצמיחה אפיטקסיאלית באיכות גבוהה.
4. ביצועי ניהול תרמי: ביישומים מעשיים, מצעי SiC בגודל 12 אינץ' מפגינים יכולות פיזור חום יוצאות דופן. נתוני בדיקה מראים שתחת אותה צפיפות הספק, התקנים המשתמשים במצעים בגודל 12 אינץ' פועלים בטמפרטורות נמוכות ב-40-50 מעלות צלזיוס בהשוואה להתקנים מבוססי סיליקון, מה שמאריך משמעותית את חיי השירות של הציוד.
יישומים עיקריים
1. מערכת אקולוגית חדשה לרכבי אנרגיה: מצע ה-SiC בגודל 12 אינץ' (מצע סיליקון קרביד בגודל 12 אינץ') מחולל מהפכה בארכיטקטורת מערכת ההינע של רכבים חשמליים. החל ממטענים מובנים (OBC) ועד ממירי הנעה ראשיים ומערכות ניהול סוללות, שיפורי היעילות שמביאים מצעים בגודל 12 אינץ' מגדילים את טווח הנסיעה של הרכב ב-5-8%. דיווחים מיצרנית רכב מובילה מצביעים על כך שאימוץ מצעי ה-12 אינץ' שלנו הפחית את אובדן האנרגיה במערכת הטעינה המהירה שלהם בשיעור מרשים של 62%.
2. מגזר האנרגיה המתחדשת: בתחנות כוח פוטו-וולטאיות, ממירים המבוססים על מצעי SiC בגודל 12 אינץ' לא רק כוללים גורמי צורה קטנים יותר, אלא גם משיגים יעילות המרה העולה על 99%. במיוחד בתרחישי ייצור מבוזרים, יעילות גבוהה זו מתורגמת לחיסכון שנתי של מאות אלפי יואן בהפסדי חשמל עבור מפעילים.
3. אוטומציה תעשייתית: ממירי תדר המשתמשים במצעים בגודל 12 אינץ' מפגינים ביצועים מצוינים ברובוטים תעשייתיים, מכונות CNC וציוד אחר. מאפייני המיתוג בתדר גבוה שלהם משפרים את מהירות תגובת המנוע ב-30% תוך הפחתת הפרעות אלקטרומגנטיות לשליש מהפתרונות הקונבנציונליים.
4. חדשנות באלקטרוניקה צרכנית: טכנולוגיות טעינה מהירה של סמארטפונים מהדור הבא החלו לאמץ מצעים של סיליקון קרביד בגודל 12 אינץ'. ההערכה היא שמוצרי טעינה מהירה מעל 65W יעברו במלואם לפתרונות סיליקון קרביד, כאשר מצעים של 12 אינץ' יהפכו לבחירה האופטימלית מבחינת עלות-תמורה.
שירותים מותאמים אישית של XKH עבור מצע SiC בגודל 12 אינץ'
כדי לעמוד בדרישות ספציפיות עבור מצעי SiC בגודל 12 אינץ' (מצעי סיליקון קרביד בגודל 12 אינץ'), XKH מציעה תמיכה מקיפה בשירות:
1. התאמה אישית של עובי:
אנו מספקים מצעים בגודל 12 אינץ' בעוביים שונים, כולל 725 מיקרון, כדי לענות על צרכים שונים של יישומים.
2. ריכוז סימום:
הייצור שלנו תומך במגוון סוגי מוליכות, כולל מצעים מסוג n וסוג p, עם בקרת התנגדות מדויקת בטווח של 0.01-0.02Ω·cm.
3. שירותי בדיקה:
עם ציוד בדיקה מלא ברמת ופלים, אנו מספקים דוחות בדיקה מלאים.
XKH מבינה שלכל לקוח יש דרישות ייחודיות למצעי SiC בגודל 12 אינץ'. לכן אנו מציעים מודלים גמישים של שיתוף פעולה עסקי כדי לספק את הפתרונות התחרותיים ביותר, בין אם עבור:
· דגימות מחקר ופיתוח
· רכישות ייצור בכמויות גדולות
השירותים המותאמים אישית שלנו מבטיחים שנוכל לענות על הצרכים הטכניים והייצוריים הספציפיים שלכם עבור מצעי SiC בגודל 12 אינץ'.
