תבנית AlN 50.8 מ"מ/100 מ"מ על תבנית NPSS/FSS AlN על ספיר
אלן-און-ספיר
ניתן להשתמש ב-AlN-On-Sapphire לייצור מגוון מכשירים פוטו-אלקטריים, כגון:
1. שבבי LED: שבבי LED עשויים בדרך כלל מסרטי אלומיניום ניטריד וחומרים אחרים.ניתן לשפר את היעילות והיציבות של הלדים על ידי שימוש בפרוסות AlN-On-Sapphire כמצע של שבבי LED.
2. לייזרים: פרוסות AlN-On-Sapphire יכולות לשמש גם כמצעים ללייזרים, הנפוצים בשימוש ברפואה, בתקשורת ובעיבוד חומרים.
3. תאים סולאריים: ייצור תאים סולאריים מצריך שימוש בחומרים כמו אלומיניום ניטריד.AlN-On-Sapphire כמצע יכול לשפר את היעילות והחיים של תאים סולאריים.
4. התקנים אופטו-אלקטרוניים אחרים: פרוסות AlN-On-Sapphire יכולות לשמש גם לייצור פוטו-גלאי, מכשירים אופטו-אלקטרוניים והתקנים אופטו-אלקטרוניים אחרים.
לסיכום, פרוסות AlN-On-Sapphire נמצאות בשימוש נרחב בתחום האופטו-חשמלי בשל מוליכות תרמית גבוהה, יציבות כימית גבוהה, הפסד נמוך ותכונות אופטיות מצוינות.
תבנית AlN 50.8 מ"מ/100 מ"מ ב-NPSS/FSS
| פריט | הערות | |||
| תיאור | תבנית AlN-on-NPSS | תבנית AlN-on-FSS | ||
| קוטר רקיק | 50.8 מ"מ, 100 מ"מ | |||
| מצע | c-plane NPSS | c-plane Planar Sapphire (FSS) | ||
| עובי המצע | 50.8 מ"מ, ספיר מישור מישור 100 מ"מ (FSS) 100 מ"מ: 650 אום | |||
| עובי של שכבת אפי AIN | 3~4 אום (יעד: 3.3 אום) | |||
| מוֹלִיכוּת | בידוד | |||
| משטח | כמו שגדל | |||
| RMS <1nm | RMS <2nm | |||
| יַשׁבָן | טחון | |||
| FWHM(002)XRC | < 150 קשת שניות | < 150 קשת שניות | ||
| FWHM(102)XRC | < 300 קשת שניות | < 300 קשת שניות | ||
| אי הכללת קצה | < 2 מ"מ | < 3 מ"מ | ||
| כיוון שטוח ראשוני | a-plane+0.1° | |||
| אורך שטוח ראשוני | 50.8 מ"מ: 16+/-1 מ"מ 100 מ"מ: 30+/-1 מ"מ | |||
| חֲבִילָה | ארוז בקופסת משלוח או מיכל רקיק בודד | |||
תרשים מפורט
