סיליקון קרביד 6H-N 2 אינץ' מצע פרוסת סיליקון מלוטש כפול מוליך בדרגה ראשונה Mos

מצע גביש יחיד מסוג 6H מסוג n (SiC) הוא חומר מוליך למחצה חיוני הנמצא בשימוש נרחב ביישומים אלקטרוניים בעלי הספק גבוה, תדר גבוה וטמפרטורה גבוהה. 6H-N SiC, הידוע במבנה הגבישי המשושה שלו, מציע פער אנרגיה רחב ומוליכות תרמית גבוהה, מה שהופך אותו לאידיאלי לסביבות תובעניות.
שדה חשמלי בעל יכולת פריצה גבוהה וניידות אלקטרונים של חומר זה מאפשרים פיתוח של התקני הספק אלקטרוניים יעילים, כגון MOSFETs ו-IGBTs, שיכולים לפעול במתחים וטמפרטורות גבוהים יותר מאלה העשויים מסיליקון מסורתי. מוליכות תרמית מעולה שלו מבטיחה פיזור חום יעיל, קריטי לשמירה על ביצועים ואמינות ביישומים בעלי הספק גבוה.
ביישומי גלי רדיו (RF), תכונותיו של 6H-N SiC תומכות ביצירת התקנים המסוגלים לפעול בתדרים גבוהים יותר ביעילות משופרת. יציבותו הכימית ועמידותו בפני קרינה הופכות אותו גם למתאים לשימוש בסביבות קשות, כולל מגזרי התעופה והחלל והביטחון.
יתר על כן, מצעי SiC מסוג 6H-N הם חלק בלתי נפרד מהתקנים אופטואלקטרוניים, כגון גלאי אור אולטרה סגולים, שבהם פער האנרגיה הרחב שלהם מאפשר גילוי יעיל של אור UV. שילוב התכונות הללו הופך את ה-SiC מסוג n מסוג 6H לחומר רב-תכליתי וחיוני בקידום טכנולוגיות אלקטרוניות ואופטואלקטרוניות מודרניות.