זרעי SiC 4H-N בקוטר 205 מ"מ מסין, מונוקריסטליין בדרגת P ו-D
שיטת PVT (הובלת אדים פיזית) היא שיטה נפוצה לגידול גבישים בודדים של סיליקון קרביד. בתהליך גידול PVT, חומר גבישי סיליקון קרביד מושקע באמצעות אידוי פיזי והובלה במרכז גבישי הזרעים של סיליקון קרביד, כך שגבישים בודדים חדשים של סיליקון קרביד גדלים לאורך מבנה גבישי הזרעים.
בשיטת PVT, גביש הזרעים של סיליקון קרביד ממלא תפקיד מפתח כנקודת מוצא ותבנית לצמיחה, ומשפיע על איכות ומבנה הגביש היחיד הסופי. במהלך תהליך גידול PVT, על ידי שליטה בפרמטרים כגון טמפרטורה, לחץ והרכב פאזה גזית, ניתן לממש את גידול גבישי הסיליקון קרביד היחידים ליצירת חומרי גביש יחיד גדולים ואיכותיים.
תהליך הגידול המתמקד בגבישי זרעי סיליקון קרביד בשיטת PVT הוא בעל משמעות רבה בייצור גבישים בודדים של סיליקון קרביד, והוא ממלא תפקיד מפתח בהשגת חומרי גביש בודדים של סיליקון קרביד באיכות גבוהה ובגודל גדול.
גביש ה-SiCseed שאנו מציעים בגודל 8 אינץ' הוא נדיר מאוד בשוק כיום. עקב הקושי הטכני הגבוה יחסית, הרוב המכריע של המפעלים אינם יכולים לספק גבישי זרעים גדולים. עם זאת, הודות לקשר ארוך השנים והדוק שלנו עם מפעל הסיליקון קרביד הסיני, אנו יכולים לספק ללקוחותינו פרוסת סיליקון קרביד בגודל 8 אינץ' זו. אם יש לכם צרכים כלשהם, אל תהססו לפנות אלינו. נוכל לשתף אתכם במפרטים תחילה.
תרשים מפורט
