עובי מצע מרוכב LN-on-Si 6 אינץ'-8 אינץ' 0.3-50 מיקרון Si/SiC/Sapphire של חומרים
פרמטרים טכניים
| 0.3-50 מיקרומטר LN/LT על מבודדים | |
| שכבה עליונה | |
| קוֹטֶר | 6-8 אינץ' |
| הִתמַצְאוּת | X, Z, Y-42 וכו'. |
| חומרים | LT, LN |
| עוֹבִי | 0.3-50 מיקרומטר |
| מצע (מותאם אישית) | |
| חוֹמֶר | סיליקה ג'ל, סיליקה ג'ל, ספיר, ספינל, קוורץ |
תכונות עיקריות
מצע המרוכב LN-on-Si בגודל 6 עד 8 אינץ' מאופיין בתכונות החומר הייחודיות שלו ובפרמטרים הניתנים לכוונון, המאפשרים תחולה רחבה בתעשיות המוליכים למחצה והאופטואלקטרוניקה:
1. תאימות פרוסות גדולות: גודל הפרוסה של 6 אינץ' עד 8 אינץ' מבטיח אינטגרציה חלקה עם קווי ייצור קיימים של מוליכים למחצה (למשל, תהליכי CMOS), מה שמפחית את עלויות הייצור ומאפשר ייצור המוני.
2. איכות גבישית גבוהה: טכניקות אפיטקסיאליות או קשירה אופטימליות מבטיחות צפיפות פגמים נמוכה בסרט הדק LN, מה שהופך אותו לאידיאלי עבור מודולטורים אופטיים בעלי ביצועים גבוהים, מסנני גל אקוסטי שטחי (SAW) והתקנים מדויקים אחרים.
3. עובי מתכוונן (0.3–50 מיקרומטר): שכבות LN דקות במיוחד (<1 מיקרומטר) מתאימות לשבבים פוטוניים משולבים, בעוד ששכבות עבות יותר (10–50 מיקרומטר) תומכות בהתקני RF בעלי הספק גבוה או בחיישנים פיזואלקטריים.
4. אפשרויות מצע מרובות: בנוסף ל-Si, ניתן לבחור SiC (מוליכות תרמית גבוהה) או ספיר (בידוד גבוה) כחומרי בסיס כדי לעמוד בדרישות של יישומים בתדירות גבוהה, בטמפרטורה גבוהה או בהספק גבוה.
5. יציבות תרמית ומכנית: מצע הסיליקון מספק תמיכה מכנית חזקה, ממזער עיוות או סדקים במהלך העיבוד ומשפר את תפוקת המכשיר.
תכונות אלו מציבות את המצע המרוכב LN-on-Si בגודל 6 עד 8 אינץ' כחומר מועדף עבור טכנולוגיות מתקדמות כגון תקשורת 5G, LiDAR ואופטיקה קוונטית.
יישומים עיקריים
מצע מרוכב LN-on-Si בגודל 6 עד 8 אינץ' מאומץ באופן נרחב בתעשיות היי-טק בשל תכונותיו האלקטרו-אופטיות, הפיזואלקטריות והאקוסטיות יוצאות הדופן:
1. תקשורת אופטית ופוטוניקה משולבת: מאפשרת מודולטורים אלקטרו-אופטיים, מוליכי גל ומעגלים משולבים פוטוניים (PIC) במהירות גבוהה, תוך מענה לדרישות רוחב הפס של מרכזי נתונים ורשתות סיבים אופטיים.
התקני RF 2.5G/6G: המקדם הפיאזואלקטרי הגבוה של LN הופך אותו לאידיאלי עבור מסנני גל אקוסטי שטחי (SAW) וגלי אקוסטי בתפזורת (BAW), ומשפר את עיבוד האותות בתחנות בסיס 5G ובמכשירים ניידים.
3. MEMS וחיישנים: האפקט הפיזואלקטרי של LN-on-Si מאפשר מדי תאוצה בעלי רגישות גבוהה, ביוסיישנים ומתמרים אולטרסאונדים עבור יישומים רפואיים ותעשייתיים.
4. טכנולוגיות קוונטיות: כחומר אופטי לא ליניארי, שכבות דקות מסוג LN משמשות במקורות אור קוונטיים (למשל, זוגות פוטונים שזורים) ובשבבים קוונטיים משולבים.
5. לייזרים ואופטיקה לא לינארית: שכבות LN דקות במיוחד מאפשרות התקני דור הרמוני שני (SHG) ותנודה פרמטרית אופטית (OPO) יעילים לעיבוד לייזר וניתוח ספקטרוסקופי.
מצע הקומפוזיט הסטנדרטי של LN-on-Si בגודל 6 עד 8 אינץ' מאפשר לייצר התקנים אלה במפעלי ופלים בקנה מידה גדול, ובכך להפחית משמעותית את עלויות הייצור.
התאמה אישית ושירותים
אנו מספקים תמיכה טכנית מקיפה ושירותי התאמה אישית עבור מצע מרוכב LN-on-Si בגודל 6 אינץ' עד 8 אינץ' כדי לענות על צרכי מחקר ופיתוח וייצור מגוונים:
1. ייצור בהתאמה אישית: ניתן להתאים אישית את עובי שכבת ה-LN (0.3–50 מיקרון), את כיוון הגביש (חיתוך X/חיתוך Y) ואת חומר המצע (Si/SiC/ספיר) כדי לייעל את ביצועי המכשיר.
2. עיבוד ברמת פרוסות: אספקה בכמות גדולה של פרוסות פרוסות בגודל 6 אינץ' ו-8 אינץ', כולל שירותים אחוריים כגון חיתוך, ליטוש וציפוי, תוך הבטחת מוכנות המצעים לשילוב המכשיר.
3. ייעוץ ובדיקות טכניות: אפיון חומרים (למשל, XRD, AFM), בדיקות ביצועים אלקטרו-אופטיות ותמיכה בסימולציית מכשירים לזירוז אימות התכנון.
המשימה שלנו היא לבסס את המצע המרוכב LN-on-Si בגודל 6 עד 8 אינץ' כפתרון חומר ליבה עבור יישומים אופטואלקטרוניים ומוליכים למחצה, המציע תמיכה מקצה לקצה, החל ממחקר ופיתוח ועד לייצור המוני.
מַסְקָנָה
מצע הקומפוזיט LN-on-Si בגודל 6 עד 8 אינץ', עם גודל פרוסת הוואפל הגדול שלו, איכות החומר המעולה והגמישות שלו, מניע את ההתקדמות בתקשורת אופטית, RF 5G וטכנולוגיות קוונטיות. בין אם מדובר בייצור בנפח גבוה או בפתרונות מותאמים אישית, אנו מספקים מצעים אמינים ושירותים משלימים כדי להעצים חדשנות טכנולוגית.
