גליום ניטריד (GaN) אפיטקסיאלי שגודל על פרוסות ספיר בגודל 4 אינץ' ו-6 אינץ' עבור MEMS
תכונות של GaN על פרוסות ספיר
●יעילות גבוהה:התקנים מבוססי GaN מספקים פי חמישה יותר הספק בהשוואה להתקנים מבוססי סיליקון, מה שמשפר את הביצועים ביישומים אלקטרוניים שונים, כולל הגברת RF ואופטואלקטרוניקה.
● פער אנרגיה רחב:פער האנרגיה הרחב של GaN מאפשר יעילות גבוהה בטמפרטורות גבוהות, מה שהופך אותו לאידיאלי עבור יישומים בעלי הספק גבוה ותדר גבוה.
● עמידות:יכולתו של GaN להתמודד עם תנאים קיצוניים (טמפרטורות גבוהות וקרינה) מבטיחה ביצועים ארוכי טווח בסביבות קשות.
● גודל קטן:GaN מאפשר ייצור של התקנים קומפקטיים וקלים יותר בהשוואה לחומרים מסורתיים של מוליכים למחצה, מה שמאפשר ייצור אלקטרוניקה קטנה וחזקה יותר.
תַקצִיר
גליום ניטריד (GaN) מתפתח כמוליך למחצה מועדף עבור יישומים מתקדמים הדורשים הספק ויעילות גבוהים, כגון מודולי RF קדמיים, מערכות תקשורת במהירות גבוהה ותאורת LED. פרוסות אפיטקסיאליות של GaN, כאשר הן גדלות על מצעי ספיר, מציעות שילוב של מוליכות תרמית גבוהה, מתח פריצה גבוה ותגובת תדר רחבה, שהם המפתח לביצועים אופטימליים במכשירי תקשורת אלחוטיים, מכ"מים ומשבשי תקשורת. פרוסות אלו זמינות בקטרים של 4 אינץ' ו-6 אינץ', עם עוביים משתנים של GaN כדי לעמוד בדרישות טכניות שונות. התכונות הייחודיות של GaN הופכות אותו למועמד מוביל לעתיד האלקטרוניקה של הספק.
פרמטרים של מוצר
| תכונת מוצר | מִפרָט |
| קוטר פרוסה | 50 מ"מ, 100 מ"מ, 50.8 מ"מ |
| מצע | סַפִּיר |
| עובי שכבת GaN | 0.5 מיקרומטר - 10 מיקרומטר |
| סוג/סימום GaN | סוג N (סוג P זמין לפי בקשה) |
| אוריינטציה של גבישי GaN | <0001> |
| סוג ליטוש | מלוטש בצד אחד (SSP), מלוטש בצד שני (DSP) |
| עובי Al2O3 | 430 מיקרומטר - 650 מיקרומטר |
| TTV (וריאציה כוללת של עובי) | ≤ 10 מיקרומטר |
| קֶשֶׁת | ≤ 10 מיקרומטר |
| לְעַקֵם | ≤ 10 מיקרומטר |
| שטח פנים | שטח פנים שמיש > 90% |
שאלות ותשובות
שאלה 1: מהם היתרונות העיקריים של שימוש ב-GaN על פני מוליכים למחצה מסורתיים מבוססי סיליקון?
A1GaN מציע מספר יתרונות משמעותיים על פני סיליקון, כולל פער אנרגיה רחב יותר, המאפשר לו להתמודד עם מתחי פריצה גבוהים יותר ולפעול ביעילות בטמפרטורות גבוהות יותר. זה הופך את GaN לאידיאלי עבור יישומים בעלי הספק גבוה ותדר גבוה כמו מודולי RF, מגברי הספק ונורות LED. יכולתו של GaN להתמודד עם צפיפויות הספק גבוהות יותר מאפשרת גם התקנים קטנים ויעילים יותר בהשוואה לחלופות מבוססות סיליקון.
שאלה 2: האם ניתן להשתמש ב-GaN על גבי פרוסות ספיר ביישומי MEMS (מערכות מיקרו-אלקטרו-מכניות)?
A2כן, ופלים מסוג GaN על גבי פרוסות ספיר מתאימים ליישומי MEMS, במיוחד במקומות בהם נדרשים הספק גבוה, יציבות טמפרטורה ורעש נמוך. עמידותו ויעילותו של החומר בסביבות תדר גבוה הופכות אותו לאידיאלי עבור התקני MEMS המשמשים במערכות תקשורת אלחוטיות, חישה ומכ"ם.
שאלה 3: מהם היישומים הפוטנציאליים של GaN בתקשורת אלחוטית?
A3GaN נמצא בשימוש נרחב במודולי RF קדמיים לתקשורת אלחוטית, כולל תשתית 5G, מערכות מכ"ם ומשבשי תקשורת. צפיפות ההספק הגבוהה והמוליכות התרמית שלו הופכות אותו למושלם עבור התקנים בעלי הספק גבוה ותדר גבוה, ומאפשר ביצועים טובים יותר וגורמי צורה קטנים יותר בהשוואה לפתרונות מבוססי סיליקון.
שאלה 4: מהם זמני האספקה וכמויות ההזמנה המינימליות עבור ופלים מסוג GaN על גבי ספיר?
A4זמני אספקה וכמויות הזמנה מינימליות משתנים בהתאם לגודל פרוסת הוואפל, עובי ה-GaN ודרישות הלקוח הספציפיות. אנא צרו קשר ישירות לקבלת תמחור מפורט וזמינות בהתבסס על המפרטים שלכם.
שאלה 5: האם ניתן לקבל עובי שכבת GaN או רמות סימום מותאמות אישית?
A5כן, אנו מציעים התאמה אישית של עובי ורמות הסינון של GaN כדי לענות על צרכי יישום ספציפיים. אנא ספרו לנו את המפרט הרצוי לכם, ואנו נספק פתרון מותאם אישית.
תרשים מפורט
