Gallium Nitride (GaN) Epitaxial שגדל על פרוסות ספיר 4 אינץ' 6 אינץ' עבור MEMS
מאפיינים של GaN על פרוסות ספיר
● יעילות גבוהה:מכשירים מבוססי GaN מספקים פי חמישה יותר כוח מאשר מכשירים מבוססי סיליקון, ומשפרים את הביצועים ביישומים אלקטרוניים שונים, כולל הגברה RF ואלקטרוניקה אופטו.
● פס רחב:מרווח הפס הרחב של GaN מאפשר יעילות גבוהה בטמפרטורות גבוהות, מה שהופך אותו לאידיאלי עבור יישומים בעוצמה גבוהה ובתדר גבוה.
● עמידות:היכולת של GaN להתמודד עם תנאים קיצוניים (טמפרטורות גבוהות וקרינה) מבטיחה ביצועים לאורך זמן בסביבות קשות.
● גודל קטן:GaN מאפשרת ייצור של מכשירים קומפקטיים וקלים יותר בהשוואה לחומרי מוליכים למחצה מסורתיים, מה שמאפשר אלקטרוניקה קטנה וחזקה יותר.
תַקצִיר
Gallium Nitride (GaN) מסתמן כמוליך למחצה המועדף עבור יישומים מתקדמים הדורשים הספק ויעילות גבוהים, כגון מודולי RF קדמיים, מערכות תקשורת מהירות ותאורת LED. פרוסות אפיטקסיות של GaN, כשהן גדלות על גבי מצעי ספיר, מציעות שילוב של מוליכות תרמית גבוהה, מתח פירוק גבוה ותגובת תדר רחבה, שהם המפתח לביצועים מיטביים במכשירי תקשורת אלחוטיים, מכ"מים ומשבשים. פרוסות אלו זמינות בקוטר של 4 אינץ' ו-6 אינץ', עם עובי GaN משתנים כדי לעמוד בדרישות טכניות שונות. המאפיינים הייחודיים של GaN הופכים אותו למועמד מוביל לעתיד של אלקטרוניקת כוח.
פרמטרים של מוצר
| תכונת מוצר | מִפרָט |
| קוטר רקיק | 50 מ"מ, 100 מ"מ, 50.8 מ"מ |
| מצע | סַפִּיר |
| עובי שכבת GaN | 0.5 מיקרומטר - 10 מיקרומטר |
| סוג GaN/סימום | סוג N (סוג P זמין לפי בקשה) |
| כיוון קריסטל GaN | <0001> |
| סוג ליטוש | מלוטש חד צדדי (SSP), מלוטש דו צדדי (DSP) |
| עובי Al2O3 | 430 מיקרומטר - 650 מיקרומטר |
| TTV (שינוי עובי כולל) | ≤ 10 מיקרומטר |
| קֶשֶׁת | ≤ 10 מיקרומטר |
| לְעַקֵם | ≤ 10 מיקרומטר |
| שטח פנים | שטח פנים שמיש > 90% |
שאלות ותשובות
ש1: מהם היתרונות העיקריים של שימוש ב-GaN על פני מוליכים למחצה מסורתיים מבוססי סיליקון?
A1: GaN מציע מספר יתרונות משמעותיים על פני סיליקון, כולל מרווח פס רחב יותר, המאפשר לו להתמודד עם מתחי פירוק גבוהים יותר ולפעול ביעילות בטמפרטורות גבוהות יותר. זה הופך את GaN לאידיאלי עבור יישומים בעלי הספק גבוה ובתדר גבוה כמו מודולי RF, מגברי כוח ונוריות LED. היכולת של GaN להתמודד עם צפיפות הספק גבוהות יותר מאפשרת גם התקנים קטנים ויעילים יותר בהשוואה לחלופות מבוססות סיליקון.
שאלה 2: האם ניתן להשתמש ב-GaN על פרוסות Sapphire ביישומי MEMS (מיקרו-אלקטרו-מכניות)?
A2: כן, GaN on Sapphire wafers מתאים ליישומי MEMS, במיוחד כאשר נדרשים הספק גבוה, יציבות טמפרטורה ורעש נמוך. העמידות והיעילות של החומר בסביבות בתדר גבוה הופכות אותו לאידיאלי עבור התקני MEMS המשמשים במערכות תקשורת אלחוטיות, חישה ומכ"ם.
ש 3: מהם היישומים הפוטנציאליים של GaN בתקשורת אלחוטית?
A3: GaN נמצא בשימוש נרחב במודולים קדמיים של RF לתקשורת אלחוטית, כולל תשתית 5G, מערכות מכ"ם ומשבשים. צפיפות ההספק הגבוהה והמוליכות התרמית שלו הופכות אותו למושלם עבור התקנים בעלי הספק גבוה בתדר גבוה, מה שמאפשר ביצועים טובים יותר וגורמי צורה קטנים יותר בהשוואה לפתרונות מבוססי סיליקון.
ש 4: מהם זמני האספקה וכמויות ההזמנה המינימליות עבור GaN על פרוסות ספיר?
A4: זמני ההובלה וכמויות ההזמנה המינימליות משתנות בהתאם לגודל פרוס, עובי GaN ודרישות הלקוח הספציפיות. אנא פנה אלינו ישירות לקבלת תמחור וזמינות מפורטים בהתבסס על המפרטים שלך.
ש 5: האם אוכל לקבל עובי שכבת GaN או רמות סימום מותאמות אישית?
A5: כן, אנו מציעים התאמה אישית של עובי GaN ורמות סימום כדי לענות על צרכי יישום ספציפיים. אנא הודע לנו את המפרט הרצוי שלך, ואנו נספק פתרון מותאם.
תרשים מפורט
