ב-26, Power Cube Semi הכריזה על פיתוח מוצלח של המוליך למחצה 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET הראשון של דרום קוריאה.
בהשוואה למוליכים למחצה הקיימים מבוססי Si (סיליקון), SiC (סיליקון קרביד) יכול לעמוד במתחים גבוהים יותר, ומכאן שהוא נחשב למכשיר הדור הבא המוביל את העתיד של מוליכים למחצה.הוא משמש כמרכיב חיוני הנדרש להחדרת טכנולוגיות מתקדמות, כגון ריבוי כלי רכב חשמליים והרחבת מרכזי נתונים המונעים על ידי בינה מלאכותית.
Power Cube Semi היא חברה חסרת אגדות המפתחת התקני מוליכים למחצה בשלוש קטגוריות עיקריות: SiC (סיליקון קרביד), Si (סיליקון) ו-Ga2O3 (תחמוצת גליום).לאחרונה, החברה יישמה ומכרה דיודות מחסום Schottky בעלות קיבולת גבוהה (SBD) לחברת רכבים חשמליים עולמית בסין, וזכתה להכרה בעיצוב ובטכנולוגיה של מוליכים למחצה שלה.
שחרורו של 2300V SiC MOSFET ראוי לציון בתור מקרה הפיתוח הראשון כזה בדרום קוריאה.Infineon, חברת מוליכים למחצה עולמית שבסיסה בגרמניה, הודיעה גם היא על השקת מוצר ה-2000V שלה במרץ, אך ללא מערך מוצרים של 2300V.
ה-MOSFET CoolSiC 2000V של Infineon, תוך שימוש בחבילת TO-247PLUS-4-HCC, עונה על הדרישה לצפיפות הספק מוגברת בקרב מעצבים, ומבטיחה אמינות מערכת גם בתנאי מתח גבוה ותדר מיתוג מחמירים.
ה- CoolSiC MOSFET מציע מתח קישור זרם ישר גבוה יותר, המאפשר הגדלת הספק מבלי להגדיל את הזרם.זהו מכשיר הסיליקון קרביד הבדיד הראשון בשוק עם מתח פירוק של 2000V, תוך שימוש בחבילת TO-247PLUS-4-HCC עם מרחק זחילה של 14 מ"מ ומרווח של 5.4 מ"מ.התקנים אלה כוללים הפסדי מיתוג נמוכים ומתאימים ליישומים כגון ממירי מיתר סולאריים, מערכות אחסון אנרגיה וטעינת רכב חשמלי.
סדרת מוצרי CoolSiC MOSFET 2000V מתאימה למערכות אוטובוס DC במתח גבוה עד 1500V DC.בהשוואה ל-1700V SiC MOSFET, התקן זה מספק מרווח מתח יתר מספיק עבור מערכות 1500V DC.ה-CoolSiC MOSFET מציע מתח סף של 4.5V ומגיע מצויד בדיודות גוף חזקות להעברה קשה.עם טכנולוגיית חיבור .XT, רכיבים אלה מציעים ביצועים תרמיים מצוינים ועמידות חזקה בלחות.
בנוסף ל-2000V CoolSiC MOSFET, Infineon תשיק בקרוב דיודות CoolSiC משלימות באריזות TO-247PLUS 4 פינים ו-TO-247-2 ברבעון השלישי של 2024 וברבעון האחרון של 2024, בהתאמה.דיודות אלו מתאימות במיוחד ליישומים סולאריים.שילובי מוצרים תואמים של נהגי שער זמינים גם כן.
סדרת מוצרי CoolSiC MOSFET 2000V זמינה כעת בשוק.יתר על כן, Infineon מציעה לוחות הערכה מתאימים: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.מפתחים יכולים להשתמש בלוח זה כפלטפורמת בדיקה כללית מדויקת כדי להעריך את כל ה-MOSFETs והדיודות של CoolSiC בדירוג של 2000V, כמו גם את ה-EiceDRIVER הקומפקטי ה-EiceDRIVER 1ED31xx של שער בידוד 1ED31xx סדרת המוצרים באמצעות פעולת PWM כפולה או רציפה.
גונג שין-סו, סמנכ"ל הטכנולוגיה של Power Cube Semi, הצהיר, "הצלחנו להרחיב את הניסיון הקיים שלנו בפיתוח וייצור המוני של 1700V SiC MOSFETs ל-2300V.
זמן פרסום: 08-08-2024