מוצרים
-
2 אינץ' 50.8 מ"מ עובי 0.1 מ"מ 0.2 מ"מ 0.43 מ"מ ופל ספיר C-Plane M-מישור R-מישור A-מטוס
-
150 מ"מ 200 מ"מ 6 אינץ' 8 אינץ' GaN על פרוסות אפי-שכבת סיליקון גליום ניטריד אפיטקסיאליות
-
8 אינץ' 200 מ"מ Sapphire Wafer Carrier Subsrate SSP DSP עובי 0.5 מ"מ 0.75 מ"מ
-
200 מ"מ 8 אינץ' GaN על מצע פרוסות אפי שכבת ספיר
-
חלון ספיר עדשת זכוכית ספיר חד קריסטל Al2O3material
-
4 אינץ' Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43 מ"מ 0.65 מ"מ
-
150 מ"מ 6 אינץ' 0.7 מ"מ 0.5 מ"מ מצע Sapphire Wafer Carrier C-Plane SSP/DSP
-
8 אינץ' 200 מ"מ 4H-N SiC Wafer דרגת מחקר דמה מוליכה
-
12 אינץ' Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrat C-Plane SSP/DSP
-
2 אינץ' פרוסות סיליקון קרביד מסוג 6H או 4H N או מצעי SiC מבודדים למחצה
-
KY ו-EFG Sapphire Method Tube מוטות ספיר צינור בלחץ גבוה
-
תבנית AlN 50.8 מ"מ/100 מ"מ על תבנית NPSS/FSS AlN על ספיר