סיליקון-על-מבודד מצע SOI רקיק שלוש שכבות עבור מיקרו-אלקטרוניקה ותדרי רדיו

היכרות עם פרוסת Silicon-On-Insulator (SOI) המתקדמת שלנו, שעוצבה בקפידה עם שלוש שכבות נפרדות, וחוללת מהפכה ביישומי מיקרו-אלקטרוניקה ותדרי רדיו (RF). מצע חדשני זה משלב שכבת סיליקון עליונה, שכבת תחמוצת מבודדת ומצע סיליקון תחתון כדי לספק ביצועים ורבגוניות ללא תחרות.

עוצב עבור הדרישות של מיקרו-אלקטרוניקה מודרנית, רקיקת ה-SOI שלנו מספקת בסיס מוצק לייצור של מעגלים משולבים מורכבים (ICs) עם מהירות מעולה, יעילות הספק ואמינות. שכבת הסיליקון העליונה מאפשרת שילוב חלק של רכיבים אלקטרוניים מורכבים, בעוד ששכבת התחמוצת המבודדת ממזערת את הקיבול הטפילי, ומשפרת את ביצועי המכשיר הכוללים.

בתחום יישומי ה-RF, רקיקת ה-SOI שלנו מצטיינת עם הקיבול הטפילי הנמוך שלה, מתח התפרקות גבוה ותכונות בידוד מצוינות. אידיאלי עבור מתגי RF, מגברים, מסננים ורכיבי RF אחרים, מצע זה מבטיח ביצועים מיטביים במערכות תקשורת אלחוטיות, מערכות מכ"ם ועוד.

יתרה מכך, סבילות הקרינה המובנית של רקיקת ה-SOI שלנו הופכת אותו לאידיאלי עבור יישומי תעופה וחלל והגנה, שבהם אמינות בסביבות קשות היא קריטית. המבנה החזק ומאפייני הביצועים יוצאי הדופן שלו מבטיחים פעולה עקבית גם בתנאים קיצוניים.

תכונות עיקריות:

ארכיטקטורה תלת-שכבתית: שכבת סיליקון עליונה, שכבת תחמוצת בידודית ומצע סיליקון תחתון.

ביצועי מיקרו-אלקטרוניקה מעולים: מאפשר ייצור של ICs מתקדמים עם מהירות ויעילות משופרים.

ביצועי RF מעולים: קיבול טפילי נמוך, מתח פירוק גבוה ותכונות בידוד מעולות עבור התקני RF.

אמינות בדרגת תעופה וחלל: סבילות קרינה אינהרנטית מבטיחה אמינות בסביבות קשות.

יישומים מגוונים: מתאים למגוון רחב של תעשיות, כולל טלקומוניקציה, תעופה וחלל, הגנה ועוד.

התנסה בדור הבא של מיקרו-אלקטרוניקה וטכנולוגיית RF עם פרוסות סיליקון-על-מבודד (SOI) המתקדם שלנו. פתח אפשרויות חדשות לחדשנות והניע התקדמות ביישומים שלך עם פתרון המצע החדיש שלנו.