פרוסת סיליקון על מצע מבודד, שלוש שכבות, עבור מיקרואלקטרוניקה ותדרי רדיו

מציגים את פרוסת הסיליקון-על-מבודד (SOI) המתקדמת שלנו, אשר תוכננה בקפידה עם שלוש שכבות נפרדות, ומחוללת מהפכה ביישומי מיקרואלקטרוניקה ותדרי רדיו (RF). מצע חדשני זה משלב שכבת סיליקון עליונה, שכבת תחמוצת מבודדת ומצע סיליקון תחתון כדי לספק ביצועים וגמישות שאין שני להם.

פרוסת ה-SOI שלנו, שתוכננה עבור דרישות המיקרואלקטרוניקה המודרנית, מספקת בסיס איתן לייצור מעגלים משולבים (ICs) מורכבים במהירות, יעילות הספק ואמינות מעולים. שכבת הסיליקון העליונה מאפשרת שילוב חלק של רכיבים אלקטרוניים מורכבים, בעוד ששכבת התחמוצת המבודדת ממזערת את הקיבול הטפילי, ומשפרת את ביצועי המכשיר הכוללים.

בתחום יישומי ה-RF, פרוסת ה-SOI שלנו מצטיינת בקיבול טפילי נמוך, מתח פריצה גבוה ותכונות בידוד מעולות. אידיאלי עבור מתגי RF, מגברים, מסננים ורכיבי RF אחרים, מצע זה מבטיח ביצועים אופטימליים במערכות תקשורת אלחוטיות, מערכות מכ"ם ועוד.

יתר על כן, עמידות הקרינה הטבועה של פרוסת ה-SOI שלנו הופכת אותה לאידיאלית עבור יישומי תעופה וחלל, שבהם אמינות בסביבות קשות היא קריטית. המבנה החזק שלה ומאפייני הביצועים יוצאי הדופן שלה מבטיחים פעולה עקבית גם בתנאים קיצוניים.

תכונות עיקריות:

ארכיטקטורה בת שלוש שכבות: שכבת סיליקון עליונה, שכבת תחמוצת מבודדת ומצע סיליקון תחתון.

ביצועי מיקרואלקטרוניקה מעולים: מאפשר ייצור של מעגלים משופרים (ICs) עם מהירות ויעילות אנרגיה משופרות.

ביצועי RF מעולים: קיבול טפילי נמוך, מתח פריצה גבוה ותכונות בידוד מעולות עבור התקני RF.

אמינות ברמת תעופה וחלל: סבילות קרינה מובנית מבטיחה אמינות בסביבות קשות.

יישומים רב-תכליתיים: מתאים למגוון רחב של תעשיות, כולל טלקומוניקציה, תעופה וחלל, ביטחון ועוד.

חוו את הדור הבא של מיקרואלקטרוניקה וטכנולוגיית RF עם פרוסת סיליקון על מבודד (SOI) מתקדמת שלנו. פתחו אפשרויות חדשות לחדשנות והניעו התקדמות ביישומים שלכם עם פתרון המצע המתקדם שלנו.