4 אינץ' משטחי SiC מבודדים למחצה 6H משטחי יסוד, מחקר ודרגת דמה
מפרט מוצר
| כיתה | דרגת ייצור MPD אפס (כיתה Z) | דרגת ייצור סטנדרטית (דרגת P) | כיתה דמה (כיתה D) | ||||||||
| קוֹטֶר | 99.5 מ"מ~100.0 מ"מ | ||||||||||
| 4H-SI | 500 מיקרומטר±20 מיקרומטר | 500 מיקרומטר±25 מיקרומטר | |||||||||
| כיוון רקיק |
מחוץ לציר: 4.0° לכיוון< 1120 > ±0.5° עבור 4H-N, על ציר: <0001>±0.5° עבור 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1 ס"מ-2 | ≤5 ס"מ-2 | ≤15 ס"מ-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| אוריינטציה שטוחה ראשונית | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| אורך שטוח ראשוני | 32.5 מ"מ±2.0 מ"מ | ||||||||||
| אורך שטוח משני | 18.0 מ"מ±2.0 מ"מ | ||||||||||
| אוריינטציה שטוחה משנית | סיליקון עם הפנים כלפי מעלה: 90° CW.מ- Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| אי הכללת קצה | 3 מ"מ | ||||||||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤3 מיקרומטר/≤5 מיקרומטר/≤15 מיקרומטר/≤30 מיקרומטר | ≤10 מיקרומטר/≤15 מיקרומטר/≤25 מיקרומטר/≤40 מיקרומטר | |||||||||
| חִספּוּס | ג פנים | פולני | Ra≤1 ננומטר | ||||||||
| סי פרצוף | CMP | Ra≤0.2 ננומטר | Ra≤0.5 ננומטר | ||||||||
| סדקי קצה על ידי אור בעוצמה גבוהה | אף אחד | אורך מצטבר ≤ 10 מ"מ, יחיד אורך≤2 מ"מ | |||||||||
| לוחות משושה על ידי אור בעוצמה גבוהה | שטח מצטבר ≤0.05% | שטח מצטבר ≤0.1% | |||||||||
| אזורי פולטייפ על ידי אור בעוצמה גבוהה | אף אחד | שטח מצטבר≤3% | |||||||||
| תכלילים של פחמן חזותי | שטח מצטבר ≤0.05% | שטח מצטבר ≤3% | |||||||||
| שריטות משטח סיליקון על ידי אור בעוצמה גבוהה | אף אחד | אורך מצטבר≤1＊קוטר פרוס | |||||||||
| שבבי קצה גבוה על ידי אור עוצמתי | אין מותר ≥0.2 מ"מ רוחב ועומק | 5 מותרים, ≤1 מ"מ כל אחד | |||||||||
| זיהום משטח סיליקון בעוצמה גבוהה | אף אחד | ||||||||||
| אריזה | קסטה מרובת רקיק או מיכל רקיק בודד | ||||||||||
תרשים מפורט
כתבו כאן את הודעתכם ושלחו אותה אלינו
