פרוסות SiC חצי מעליבות בגודל 4 אינץ' מצע HPSI SiC דרגת Prime Production
מפרט מוצר
סיליקון קרביד (SiC) הוא חומר מוליך למחצה מורכב המורכב מהיסודות פחמן וסיליקון, והוא אחד החומרים האידיאליים לייצור התקנים בטמפרטורה גבוהה, בתדר גבוה, בהספק גבוה ובמתח גבוה. בהשוואה לחומר הסיליקון המסורתי (Si), רוחב הפס האסור של סיליקון קרביד הוא פי שלושה מזה של סיליקון; המוליכות התרמית היא פי 4-5 מזו של סיליקון; מתח הפירוק הוא פי 8-10 מזה של סיליקון; וקצב הסחף של רווית האלקטרונים הוא פי 2-3 מזה של סיליקון, העונה על הצרכים של התעשייה המודרנית להספק גבוה, מתח גבוה ותדר גבוה, והוא משמש בעיקר לייצור מהירות גבוהה, גבוהה- רכיבים אלקטרוניים עם תדר, הספק גבוה ופולטי אור, ותחומי היישום שלו במורד הזרם כוללים רשת חכמה, רכבי אנרגיה חדשים, אנרגיית רוח פוטו-וולטאית, תקשורת 5G וכו'. בתחום מכשירי החשמל, דיודות סיליקון קרביד ו-MOSFET החלו להיות מיושם מסחרית.
יתרונות פרוסות SiC/מצע SiC
עמידות בטמפרטורה גבוהה. רוחב הפס האסור של סיליקון קרביד הוא פי 2-3 מזה של סיליקון, כך שלאלקטרונים יש סיכוי נמוך יותר לקפוץ בטמפרטורות גבוהות ויכולים לעמוד בטמפרטורות עבודה גבוהות יותר, והמוליכות התרמית של סיליקון קרביד היא פי 4-5 מזו של סיליקון, מה שהופך קל יותר לפזר חום מהמכשיר ומאפשר טמפרטורת הפעלה מגבילה גבוהה יותר. מאפייני הטמפרטורות הגבוהות יכולות להגדיל באופן משמעותי את צפיפות ההספק, תוך הפחתת הדרישות למערכת פיזור החום, מה שהופך את המסוף לקל משקל וממוזער יותר.
התנגדות למתח גבוה. חוזק שדה הפירוק של סיליקון קרביד הוא פי 10 מזה של סיליקון, מה שמאפשר לו לעמוד במתחים גבוהים יותר, מה שהופך אותו למתאים יותר למכשירי מתח גבוה.
התנגדות בתדר גבוה. לסיליקון קרביד יש פי שניים את קצב סחף האלקטרונים הרוויה של סיליקון, וכתוצאה מכך המכשירים שלו בתהליך הכיבוי אינו קיים בתופעת הגרירה הנוכחית, יכול למעשה לשפר את תדירות מיתוג המכשיר, כדי להשיג מזעור המכשיר.
אובדן אנרגיה נמוך. לסיליקון קרביד יש עמידות נמוכה מאוד בהשוואה לחומרי סיליקון, אובדן הולכה נמוך; במקביל, רוחב הפס הגבוה של סיליקון קרביד מפחית באופן משמעותי את זרם הדליפה, אובדן הספק; בנוסף, התקני סיליקון קרביד בתהליך הכיבוי אינם קיימים בתופעת הגרר הנוכחית, אובדן מיתוג נמוך.
תרשים מפורט
