רקיקת סיליקון דו-חמצנית רקיקת SiO2 עבה מלוטשת, ראשונית ודרגת בדיקה
היכרות של קופסת רקיק
| מוצר | פרוסות תחמוצת תרמיות (Si+SiO2). |
| שיטת הייצור | LPCVD |
| ליטוש פני השטח | SSP/DSP |
| קוֹטֶר | 2 אינץ' / 3 אינץ' / 4 אינץ' / 5 אינץ' / 6 אינץ' |
| סוּג | סוג P / סוג N |
| עובי שכבת החמצון | 100 ננומטר ~ 1000 ננומטר |
| נטייה | <100> <111> |
| התנגדות חשמלית | 0.001-25000(Ω•ס"מ) |
| יישום | משמש לנשא דגימות קרינת סינכרוטרון, ציפוי PVD/CVD כמצע, דגימת גידול מקרטעת מגנטרונים, XRD, SEM,כוח אטומי, ספקטרוסקופיה אינפרא אדום, ספקטרוסקופיה פלואורסצנטית ומצעי בדיקת אנליזה אחרים, מצעי צמיחה אפיטקסיאליים של קרן מולקולרית, ניתוח קרני רנטגן של מוליכים למחצה גבישיים |
פרוסות תחמוצת סיליקון הן סרטי סיליקון דו חמצני הגדלים על פני השטח של פרוסות סיליקון באמצעות חמצן או אדי מים בטמפרטורות גבוהות (800°C~1150°C) תוך שימוש בתהליך חמצון תרמי עם ציוד צינורות תנור בלחץ אטמוספרי.עובי התהליך נע בין 50 ננומטר ל-2 מיקרון, טמפרטורת התהליך עד 1100 מעלות צלזיוס, שיטת הגידול מתחלקת ל"חמצן רטוב" ו"חמצן יבש" לשני סוגים.תחמוצת תרמית היא שכבת תחמוצת "גדלה", בעלת אחידות גבוהה יותר, צפיפות טובה יותר וחוזק דיאלקטרי גבוה יותר משכבות תחמוצת המופקדות ב-CVD, וכתוצאה מכך איכות מעולה.
חמצון חמצן יבש
הסיליקון מגיב עם חמצן ושכבת התחמוצת נעה כל הזמן לעבר שכבת המצע.חמצון יבש צריך להתבצע בטמפרטורות שבין 850 ל-1200 מעלות צלזיוס, עם קצבי צמיחה נמוכים יותר, וניתן להשתמש בו לצמיחת שער מבודד MOS.חמצון יבש מועדף על פני חמצון רטוב כאשר נדרשת שכבת תחמוצת סיליקון דקה במיוחד באיכות גבוהה.קיבולת חמצון יבש: 15 ננומטר ~ 300 ננומטר.
2. חמצון רטוב
שיטה זו משתמשת באדי מים ליצירת שכבת תחמוצת על ידי כניסה לצינור התנור בתנאי טמפרטורה גבוהים.הצפיפות של חמצון חמצן רטוב גרועה מעט מחמצון חמצן יבש, אך בהשוואה לחמצון חמצן יבש היתרון שלו הוא שיש לו קצב גדילה גבוה יותר, מתאים לצמיחת סרט של יותר מ-500 ננומטר.קיבולת חמצון רטוב: 500nm ~ 2µm.
צינור החמצון בלחץ האטמוספרי של AEMD הוא צינור כבשן אופקי צ'כי, המאופיין ביציבות תהליכית גבוהה, אחידות סרט טובה ושליטה מעולה בחלקיקים.צינור התנור של תחמוצת הסיליקון יכול לעבד עד 50 פרוסות לכל שפופרת, עם אחידות מעולה בין פרוסות.
תרשים מפורט
