4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch ייצור דמה Dia150mm מצע סיליקון קרביד
מפרט מצע סיליקון קרביד (SiC) בקוטר 6 אינץ'
| כיתה | אפס MPD | הפקה | ציון מחקר | כיתה דמה |
| קוֹטֶר | 150.0 מ"מ±0.25 מ"מ | |||
| עוֹבִי | 4H-N | 350um±25um | ||
| 4H-SI | 500um±25um | |||
| כיוון רקיק | על הציר:<0001>±0.5° עבור 4H-SI | |||
| דירה ראשונית | {10-10}±5.0° | |||
| אורך שטוח ראשוני | 47.5 מ"מ±2.5 מ"מ | |||
| אי הכללת קצה | 3 מ"מ | |||
| TTV/Bow/Warp | ≤15um/≤40um/≤60um | |||
| צפיפות מיקרו-צינור | ≤1 ס"מ-2 | ≤5 ס"מ-2 | ≤15 ס"מ-2 | ≤50 ס"מ-2 |
| התנגדות 4H-N 4H-SI | 0.015~0.028Ω! ס"מ | |||
| ≥1E5Ω!cm | ||||
| חִספּוּס | פולני Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm | |||
| #סדקים על ידי אור בעוצמה גבוהה | אף אחד | 1 מותר ,≤2 מ"מ | אורך מצטבר ≤10 מ"מ, אורך בודד ≤2 מ"מ | |
| *צלחות משושה על ידי אור בעוצמה גבוהה | שטח מצטבר ≤1% | שטח מצטבר ≤ 2% | שטח מצטבר ≤ 5% | |
| *אזורים פולטייפים על ידי אור בעוצמה גבוהה | אף אחד | שטח מצטבר ≤ 2% | שטח מצטבר ≤ 5% | |
| *&שריטות על ידי אור בעוצמה גבוהה | 3 שריטות עד 1 x קוטר רקיק אורך מצטבר | 5 שריטות עד 1 x קוטר רקיק אורך מצטבר | 5 שריטות עד 1 x קוטר רקיק אורך מצטבר | |
| שבב קצה | אף אחד | 3 מותרים, ≤0.5 מ"מ כל אחד | 5 מותרים, ≤1 מ"מ כל אחד | |
| זיהום על ידי אור בעוצמה גבוהה | אף אחד
| |||
מכירות ושירות לקוחות
רכישת חומרים
מחלקת רכש חומרים אחראית לאסוף את כל חומרי הגלם הדרושים לייצור המוצר שלך.עקיבות מלאה של כל המוצרים והחומרים, כולל ניתוח כימי ופיזיקלי זמינה תמיד.
איכות
במהלך ואחרי הייצור או העיבוד של המוצרים שלך, מחלקת בקרת איכות מעורבת לוודא שכל החומרים והסובלנות עומדים במפרט שלך או חורגים מהם.
שֵׁרוּת
אנו מתגאים בכך שיש לנו צוות מהנדסי מכירות עם ניסיון של למעלה מ-5 שנים בתעשיית המוליכים למחצה.הם מאומנים לענות על שאלות טכניות וכן לספק הצעות מחיר בזמן לצרכים שלך.
אנחנו לצידך בכל עת כאשר יש לך בעיה, ופותרים אותה תוך 10 שעות.
תרשים מפורט
