150 מ"מ 200 מ"מ 6 אינץ' 8 אינץ' GaN על רקיק אפי-שכבת סיליקון גליום ניטריד אפיטקסיאלי
שיטת ייצור
תהליך הייצור כולל גידול שכבות GaN על מצע ספיר תוך שימוש בטכניקות מתקדמות כגון שקיעת אדי מתכת אורגנית (MOCVD) או אפיטה של קרן מולקולרית (MBE).תהליך השקיעה מתבצע בתנאים מבוקרים כדי להבטיח איכות גביש גבוהה וסרט אחיד.
יישומי GaN-On-Sapphire בגודל 6 אינץ': שבבי מצע ספיר בגודל 6 אינץ' נמצאים בשימוש נרחב בתקשורת מיקרוגל, מערכות מכ"ם, טכנולוגיה אלחוטית ואלקטרוניקה אופטו.
כמה יישומים נפוצים כוללים
1. מגבר כוח Rf
2. תעשיית תאורת לד
3. ציוד תקשורת רשת אלחוטית
4. מכשירים אלקטרוניים בסביבת טמפרטורה גבוהה
5. מכשירים אופטואלקטרוניים
מפרט מוצר
- גודל: קוטר המצע הוא 6 אינץ' (כ-150 מ"מ).
- איכות פני השטח: המשטח עבר ליטוש עדין כדי לספק איכות מראה מעולה.
- עובי: ניתן להתאים את העובי של שכבת GaN בהתאם לדרישות ספציפיות.
- אריזה: המצע ארוז בקפידה בחומרים אנטי סטטיים כדי למנוע נזק במהלך ההובלה.
- קצוות מיקום: למצע קצוות מיקום ספציפיים המקלים על יישור ותפעול במהלך הכנת המכשיר.
- פרמטרים נוספים: ניתן להתאים פרמטרים ספציפיים כגון רזון, התנגדות וריכוז סימום בהתאם לדרישות הלקוח.
עם תכונות החומר המעולות והיישומים המגוונים שלהם, פרוסות מצע ספיר בגודל 6 אינץ' הן בחירה אמינה לפיתוח התקני מוליכים למחצה בעלי ביצועים גבוהים בתעשיות שונות.
| מצע | 6 אינץ' 1 מ"מ <111> P-type Si | 6 אינץ' 1 מ"מ <111> P-type Si |
| Epi ThickAvg | ~5 אמ | ~7 אמ |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| קשת | +/-45um | +/-45um |
| הִסָדְקוּת | <5 מ"מ | <5 מ"מ |
| אנכי BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 ננומטר | 20-30 ננומטר |
| Insitu SiN Cap | 5-60 ננומטר | 5-60 ננומטר |
| קוצר 2 מעלות | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| ניידות | ~2000 ס"מ2/Vs (<2%) | ~2000 ס"מ2/Vs (<2%) |
| רש | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
תרשים מפורט
