200 מ"מ 8 אינץ' GaN על מצע פרוסות אפי שכבת ספיר
הצגת המוצר
מצע GaN-on-Sapphire בגודל 8 אינץ' הוא חומר מוליכים למחצה איכותי המורכב משכבת Gallium Nitride (GaN) שגדלה ולא ממצע ספיר.חומר זה מציע תכונות הובלה אלקטרוניות מצוינות ואידיאלי לייצור התקני מוליכים למחצה בעלי הספק גבוה ותדר גבוה.
שיטת ייצור
תהליך הייצור כולל צמיחה אפיטקסיאלית של שכבת GaN על מצע ספיר תוך שימוש בטכניקות מתקדמות כגון שקיעת אדי מתכת אורגנית (MOCVD) או אפיטקסית קרן מולקולרית (MBE).השקיעה מתבצעת בתנאים מבוקרים כדי להבטיח איכות גביש גבוהה ואחידות סרט.
יישומים
מצע GaN-on-Sapphire בגודל 8 אינץ' מוצא יישומים נרחבים בתחומים שונים כולל תקשורת מיקרוגל, מערכות מכ"ם, טכנולוגיה אלחוטית ואלקטרוניקה אופטו.חלק מהיישומים הנפוצים כוללים:
1. מגברי כוח RF
2. תעשיית תאורת לד
3. התקני תקשורת אלחוטיים ברשת
4. מכשירים אלקטרוניים לסביבות בטמפרטורה גבוהה
5. Oמכשירים פטואלקטרוניים
מפרט מוצר
-ממד: גודל המצע הוא 8 אינץ' (200 מ"מ) קוטר.
- איכות פני השטח: המשטח מלוטש לדרגת חלקות גבוהה ומציג איכות מעולה דמוית מראה.
- עובי: ניתן להתאים את עובי שכבת GaN בהתאם לדרישות ספציפיות.
- אריזה: המצע ארוז בקפידה בחומרים אנטי סטטיים למניעת נזקים במהלך ההובלה.
- כיוון שטוח: למצע יש כיוון שטוח ספציפי כדי לסייע ביישור וטיפול בפרוסות במהלך תהליכי ייצור המכשיר.
- פרמטרים אחרים: ניתן להתאים את הפרטים של העובי, ההתנגדות וריכוז הדונט לפי דרישות הלקוח.
עם תכונות החומר המעולות והיישומים המגוונים שלו, מצע GaN-on-Sapphire בגודל 8 אינץ' הוא בחירה אמינה לפיתוח התקני מוליכים למחצה בעלי ביצועים גבוהים בתעשיות שונות.
מלבד GaN-On-Sapphire, אנו יכולים להציע גם בתחום יישומי מכשירי הספק, משפחת המוצרים כוללת פרוסות אפיטקסיאליות AlGaN/GaN-on-Si בגודל 8 אינץ' ו-8 אינץ' P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaxial ופלים.במקביל, חידשנו את היישום של טכנולוגיית 8 אינץ' GaN אפיטקסי מתקדמת משלה בתחום המיקרוגל, ופיתחנו פרוסת 8 אינץ' AlGaN/GAN-on-HR Si אפיטקסיה המשלבת ביצועים גבוהים עם גודל גדול, עלות נמוכה ותואם לעיבוד מכשיר 8 אינץ' סטנדרטי.בנוסף לגליום ניטריד על בסיס סיליקון, יש לנו גם קו מוצרים של פרוסות אפיטקסיות מסוג AlGaN/GaN-on-SiC כדי לענות על צורכי הלקוחות לחומרים אפיטקסיאליים על בסיס סיליקון.
תרשים מפורט
