50.8 מ"מ 2 אינץ' GaN על פרוסות אפי-שכבת ספיר
יישום גיליון אפיטקסיאלי של גליום ניטריד GaN
בהתבסס על הביצועים של גליום ניטריד, שבבי גליום ניטריד אפיטקסיאליים מתאימים בעיקר ליישומי הספק גבוה, תדר גבוה ומתח נמוך.
זה בא לידי ביטוי ב:
1) פער פס גבוה: פער פס גבוה משפר את רמת המתח של התקני גליום ניטריד ויכול להפיק הספק גבוה יותר ממכשירי גליום ארסניד, המתאים במיוחד לתחנות בסיס תקשורת 5G, מכ"ם צבאי ושדות אחרים;
2) יעילות המרה גבוהה: התנגדות ההפעלה של מכשירים אלקטרוניים למיתוג גליום ניטריד נמוכה ב-3 סדרי גודל מזו של התקני סיליקון, מה שיכול להפחית באופן משמעותי את אובדן ההפעלה;
3) מוליכות תרמית גבוהה: המוליכות התרמית הגבוהה של גליום ניטריד גורמת לו לביצועי פיזור חום מצוינים, המתאימים לייצור של מכשירים בעלי הספק גבוה, בטמפרטורה גבוהה ותחומים אחרים של מכשירים;
4) עוצמת שדה חשמלי התמוטטות: למרות שעוצמת השדה החשמלי של גליום ניטריד קרובה לזה של סיליקון ניטריד, עקב תהליך מוליכים למחצה, חוסר התאמה של סריג החומר וגורמים אחרים, סובלנות המתח של התקני גליום ניטריד היא בדרך כלל כ-1000V, ו- מתח שימוש בטוח הוא בדרך כלל מתחת ל-650V.
| פריט | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| ממדים | e 50.8 מ"מ ± 0.1 מ"מ | ||
| עוֹבִי | 4.5±0.5 אום | 4.5±0.5um | |
| נטייה | C-plane(0001) ±0.5° | ||
| סוג הולכה | סוג N (לא מסומן) | N-סוג (Si-doped) | סוג P (מסומם ב-Mg) |
| התנגדות (3O0K) | < 0.5 Q・ ס"מ | < 0.05 Q・ ס"מ | ~ 10 Q・ ס"מ |
| ריכוז הספקים | < 5x1017ס"מ-3 | > 1x1018ס"מ-3 | > 6x1016 ס"מ-3 |
| ניידות | ~ 300 ס"מ2/לעומת | ~ 200 ס"מ2/לעומת | ~ 10 ס"מ2/לעומת |
| צפיפות נקע | פחות מ-5x108ס"מ-2(מחושב על ידי FWHMs של XRD) | ||
| מבנה המצע | GaN על Sapphire (תקן: אפשרות SSP: DSP) | ||
| שטח פנים שמיש | > 90% | ||
| חֲבִילָה | ארוז בסביבת חדר נקי בדרגה 100, בקסטות של 25 יחידות או מיכלי רקיק בודד, תחת אווירת חנקן. | ||
* ניתן להתאים עובי אחר
תרשים מפורט
